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Siliziumchip-Gaserfassungseinrichtung
Siliziumchip-Gaserfassungseinrichtung
Produktdetails
Produkteinführung
• Zur Erfassung flüchtiger Bestandteile (organischer Schadstoffe) auf 8-Zoll- und 6-Zoll-Siliziumchipoberflächen. (SW-8400)
・Zur Erfassung flüchtiger Bestandteile (organischer Schadstoffe) auf 12-Zoll-Siliziumchipoberflächen. (SW-12400)
Einseitige Siliziumchip flüchtige Gase erfassen, einfache Bedienung.
· Der Heizofen verwendet die Umkehrverspannung und nimmt nur die Probenahme von Gasen, die von der Chip-Front erzeugt werden.
・Zur Erfassung flüchtiger Bestandteile (organischer Schadstoffe) auf 12-Zoll-Siliziumchipoberflächen. (SW-12400)
Einseitige Siliziumchip flüchtige Gase erfassen, einfache Bedienung.
· Der Heizofen verwendet die Umkehrverspannung und nimmt nur die Probenahme von Gasen, die von der Chip-Front erzeugt werden.
Der Heizofen kann bis zu 500 ° C erhitzt werden.
· Die Abdichtung des Heizofens wird mit einem O-Ring (Polyaminmaterial) dichtet, ohne Leckage.
In der Regel wird das Gas mit PAT (Volumen 10 ml, 2,5 g Tenax GR gefüllt) erfasst. Die Probenahme kann auch mit entsprechenden Probenaufnahmerohren anderer Hersteller erfolgen.
· Die Abdichtung des Heizofens wird mit einem O-Ring (Polyaminmaterial) dichtet, ohne Leckage.
In der Regel wird das Gas mit PAT (Volumen 10 ml, 2,5 g Tenax GR gefüllt) erfasst. Die Probenahme kann auch mit entsprechenden Probenaufnahmerohren anderer Hersteller erfolgen.
· Ausgestattet mit Kühlwasserzirkulationseinrichtung.
· Ausgestattet mit Überhitzungsschutzeinrichtungen, Verriegelungssicherheitseinrichtungen, Notstandsknopfen, Lecksensoren (optional) und anderen Sicherheitseinrichtungen.
· Ausgestattet mit Überhitzungsschutzeinrichtungen, Verriegelungssicherheitseinrichtungen, Notstandsknopfen, Lecksensoren (optional) und anderen Sicherheitseinrichtungen.
Technische Parameter
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Methode
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Umkehrweise
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Erfassung der Siliziumchipgröße
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8" oder 6", unter 5" ist ein Erweiterungsring erforderlich (Typ 12400, 12")
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O-Ring
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Dichtungsdurchmesser 220mm (Polyamid)
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Quarzbeheizungsofen
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Transparentes Quarzmaterial
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Methode der Heizung des Ofens
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Ober- und Bodenplatte unabhängige Heizung
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Heizungstemperatur des Ofens
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Allgemein verwendet 400 °C (bis zu 500 °C)
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Ofenkühlung
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Kühlwasserzirkulationsanlage
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Isolierrohre
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Innere Oberflächeninertisierung
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Blasen Sie Gas
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Normalerweise mit Stickstoff, maximaler Durchfluss 500ml / min
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Überhitzungsschutz
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Strom 15A, Induktionsstrom 30mA
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Notstandsknopf
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Rot, Pilz
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Sicherheitseinrichtungen
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Vernetzung Struktur
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Druckmethode
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Motorantrieb
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Gerätegröße
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1140(W)×1106(H)×750(D)mm
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Gewicht
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280Kg
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Stromversorgung
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Einphasen AC200V, 15A, AC100V, 20A
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Standardbeilage:
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PAT (Absorptionsrohr der ersten Stufe):
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2 (nicht kompatibel mit anderen Firmen)
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Die PAT
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1 (nicht kompatibel mit anderen Firmen)
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PAT-Adapter
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1 (für den Einsatz mit anderen Firmen)
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O-Ring
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Zwei
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Kühlwasserzirkulationsanlage
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1 Stück (mit Standardleitung)
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Isolierrohre
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1 Stück
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Gasversorgung
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1 Set (1/16"-1/8")
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Kabel
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1 Set
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Werkzeuge
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1 Set
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Bedienungsanleitung
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1 Buch
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* Bitte fragen Sie nach den technischen Spezifikationen des Typs SW-12400.
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